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Recentemente os instrumentos de medir de semicondutor dos campos magnéticos, assim chamados sensores.. começou a usar-se. Sala. Sensores.. . A sala é possível medir tanto constante, como variação campos magnéticos.

Assim, segundo uma fórmula (em uma transmissão de uma corrente contínua por uma amostra nele há uma diferença potencial que será proporcional à intensidade de um campo magnético. Em sensores.. . A proporcionalidade de sala entre U e N observa-se com uma exatidão de vários por cento de campos aproximadamente 2  104.

O grau da convergência de elétrons caracteriza-se pelo assim chamado coeficiente da convergência (compressão ou uma compressão). No processo do aumento no coeficiente da convergência as forças eletrostáticas de cruz que empurra a compressão à parte intrometida de um ramo aumentam em um ramo.

Agora para a produção de sensores os semicondutores que possuem a grande mobilidade de transportadoras da corrente usam-se. Os elementos concernem-lhes Que, Bi, GE, e também algumas conexões binárias com a estrutura de uma mistura de zinco: HgSe ¸ HgTe, InAs ¸ InSb ¸ Pbse, PbTe e AgTe.

Tem o grande desenvolvimento de interesse teórico e prático de métodos consecutivos da síntese de sistemas da formação de correntes eletrônicas com base nas quais seria possível contar rapidamente os dispositivos que provêem ramos do curso de jogo de trajetórias.

Os métodos de formação e focagem de feixes de elétrons unem-se, por via de regra, com o princípio da gestão deles, especialmente naqueles dispositivos onde os elementos de dispositivos de elétrons e óticos entram diretamente em desenhos dos sistemas oscilantes ou reduzem a velocidade abaixo. No entanto, há várias exigências gerais para que explicação exata consideraremos resumidamente os tipos principais EOS, aplicados em dispositivos eletrônicos da rádio-nomeação de engenharia. Vamos começar esta consideração com sistemas da formação inicial de feixes de elétrons – armas eletrônicas.

A falta principal de EOS calculado pelo método da Síntese é a complexidade de uma forma dos eletrodos de focagem calculados e o seu não eficácia tecnológica. É possível simplificar uma forma de sintezny difícil dos eletrodos enfocam usando o cálculo de EOS pelo método da Análise que se descreve abaixo.

O objetivo principal deste trabalho é o uso de programas de computador modernos do cálculo da análise e a otimização de um klystron de KIU-147 desenvolveu-se há aproximadamente 15 anos. Este klystron usa-se no equipamento acelerador e tem os seguintes parâmetros:

A essência de um método compõe-se na substituição da equação diferencial com a equação que lhe corresponde em diferenças finais que resulta a substituição de derivados com as suas expressões aproximadas por diferenças finais. Deixe o campo contado satisfazer à equação d-dimensional de Poisson:

Para a redução do peso dos sistemas de focagem magnéticos do multiraio klystrons reversny focagem magnética muitas vezes usa-se. O desenho do sistema de focagem de multiraio com um campo magnético reversny representa um desafio complexo da ótica eletrônica. O desenvolvimento de programas modernos do cálculo de EOS em computadores consideravelmente facilitou a solução de uma tarefa em cálculo e otimização de tais sistemas de focagem.

Contudo a solução de uma tarefa de Pierce supõe que o anodo não tenha abertura. Por isso, logo que a abertura no anodo se introduza na consideração, a situação agudamente modifica-se: perto da distribuição de anodo do potencial e o curso de trajetórias eletrônicas tornam-se em absoluto não o que se põe no cálculo. Há uma assim chamada lente de anodo que modifica a distribuição do potencial em um abaixo.

Bem como qualquer teoria, a teoria da síntese de sistemas da formação manda unir certas restrições com a necessidade da introdução das suposições de simplificação e tem as dificuldades tanto na relação de acordo, como acerca da solução de uma tarefa externa, que é as formas dos eletrodos e campos magnéticos.

Klystrons com armas de Pierce e com o fluxo de Brillouin desenvolveram-se e emanaram durante quase 30 anos e satisfizeram condições. O desenvolvimento foi na direção do aumento no poder à custa do aumento na tensão. Criaram-se os dispositivos com uma potência de saída 1mvt e mais, trabalhando em uma voltagem de 300 - 400 kV.